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Datenwartung

GT 109 D (ГT 109 Д)

Miniatur-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

- 15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

V

Spannung (UEB) / (UGS):

V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

30.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

3.00 MHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36