GT 109 D (ГT 109 Д)

Miniatur-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

- 15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

30.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

3.00 MHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36