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Datenwartung
GT 310 W (ГT 310 B) |
pnp-Miniatur-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 12.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 12.00 V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Leistung (Ptot): | 20.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 120.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 310 W |
6.30 |
4.67 |
3.80 |
2.82 |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 07:54:19 |
