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Datenwartung

GT 311 A (ГT 311 A)

npn-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

12.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

12.00 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

100.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 07:58:51