GT 313 A (ГT 313 A)

pnp-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

0.20 V

Strom (I_C):

10.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

GT 313 A

4.00

2.96

2.40

1.78

GT 313 A 1

4.45

3.30

2.65

1.96

GT 313 A 2

4.45

3.30

2.65

1.96

GT 313 A 3

4.45

3.30

2.65

1.96

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 08:08:24