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Datenwartung
GT 313 A (ГT 313 A) |
pnp-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: | ![]() |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 15.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 0.20 V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Leistung (Ptot): | 100.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 313 A |
4.00 |
2.96 |
2.40 |
1.78 |
GT 313 A 1 |
4.45 |
3.30 |
2.65 |
1.96 |
GT 313 A 2 |
4.45 |
3.30 |
2.65 |
1.96 |
GT 313 A 3 |
4.45 |
3.30 |
2.65 |
1.96 |
Datenblatt: |
1969 - Elektronisches Jahrbuch | ? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies! |
Datenblatt: |
Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 08:08:24 |