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Datenwartung

GT 313 A (ГT 313 A)

pnp-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

0.20 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GT 313 A

4.00
2.96
2.40
1.78

GT 313 A 1

4.45
3.30
2.65
1.96

GT 313 A 2

4.45
3.30
2.65
1.96

GT 313 A 3

4.45
3.30
2.65
1.96

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 08:08:24