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Datenwartung
GT 313 B (ГT 313 Б) |
pnp-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Leistung (Ptot): | 100.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 450.00 MHz |
Kompatibel: | FD 7 - ?---Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 313 B |
4.20 |
3.11 |
2.50 |
1.85 |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch |
Daten veröffentlicht: 1969 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36 |
