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Datenwartung

KT 801 A

npn-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

2.50 V

Strom (IC):

2.00 A

Leistung (Ptot):

5.00 W

Grenzfrequenz (fT):

10.00 MHz

Verstärkung (h21e):

13 - 50

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 801 A

2.60
1.93
1.55
1.15

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 29.11.2024 / 09:24:17