KT 801 A

npn-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

2.50 V

Strom (I_C):

2.00 A

Leistung (P_tot):

5.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

10.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

13 - 50

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

KT 801 A

2.60

1.93

1.55

1.15

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 29.11.2024 / 09:24:17