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Datenwartung
KT 801 B (KT 801 Б) |
npn-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | - 60.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 2.00 A |
Leistung (Ptot): | 5.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 10.00 MHz |
Kompatibel: | 4027 - - Verschiedene HerstellerTypen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 801 B |
2.50 |
1.85 |
1.50 |
1.11 |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1969 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36 |