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Datenwartung
KT 802 A |
npn-Planartransistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 150.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 180.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 5.00 A |
Leistung (Ptot): | 50.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 20.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 15 - 100 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 KT 802 A |
34.50 |
22.56 |
20.70 |
15.34 |
KT 802 A |
9.85 |
7.30 |
5.90 |
4.37 |
Datenblatt | 1969 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 30.11.2024 / 21:38:25 |