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Datenwartung

1 T 303 E (1 T 303 E)

HF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

12.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

12.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

1.60 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

20.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 18.07.2024 / 08:35:51