GS 501

Schalttransistor

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

20.00 V

Strom (I_C):

400.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

18.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

35 - 130

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1970 - Elektronisches Jahrbuch

Daten-WEB:

www

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1966 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.07.2024 / 21:57:25