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Datenwartung

GF 501

HF-Transistor

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

12.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

24.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

0.50 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 10

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 501

5.75
4.26
3.45
2.56

Datenblatt:

1970 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten-WEB:

www


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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1966 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.07.2024 / 09:33:44