GF 507

HF-Transistor

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

0.30 V

Strom (I_C):

10.00 mA

Leistung (P_tot):

60.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 10

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1970 - Elektronisches Jahrbuch

Daten-WEB:

www

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1970 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.07.2024 / 21:13:37