BFY 33

Transistor

Hersteller:

Tungsram Budapest, Nepköztarsag Magyaroszag, Ungarn

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

24.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

7.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

2.60 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 40

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1971 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1971 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 17:49:35