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für DDR-Bauteile


Datenwartung

BC 109

Transistor

Hersteller:

Tungsram Budapest, Nepköztarsag Magyaroszag, Ungarn

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

- 20.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

200.00 mA

Leistung (Ptot):

260.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

BC 109 B

1.40
1.04
0.84
0.62

BC 109 C

1.50
1.11
0.90
0.67

Datenblatt:

1971 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1971

Letzte Bearbeitung: 15.03.2024 / 08:32:10