BF 185

Transistor

Hersteller:

Tungsram Budapest, Nepköztarsag Magyaroszag, Ungarn

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

- 30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

30.00 mA

Leistung (P_tot):

145.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

220.00 MHz

Kompatibel:

BF 183 - - Verschiedene Hersteller

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1971 - Elektronisches Jahrbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1971 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38