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Datenwartung

2 GA 113

Diodenpaar niederohmig

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bild:

Bauform:

Material:

Germanium

Spannung (UR):

25.00 V

Durchlassgleichstrom (IF):

6.00 mA

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GA 113

3.15

2.33

1.90

1.41

Datenblatt

1972 - Elektronisches Jahrbuch

? Du benötigst 5 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1972 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 21.11.2025 / 08:50:09