SA N 29

Kapazitätsdiode für VHF/UHF

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (U_R):

28.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

5.00 μA

Sperrerholzeit:

Kompatibel:

BA 219 - ?---
BAY 61 -

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch

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Daten veröffentlicht: 1972

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29