SA N 29

Kapazitätsdiode für VHF/UHF

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (U_R):

- 28.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

5.00 μA

Sperrerholzeit:

BA 219 - ?---
BAY 61 -

Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt

1972 - Elektronisches Jahrbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1972 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29