GT 322 B (ГT 322 Б)

HF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

- 15.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

5.00 mA

Leistung (P_tot):

50.00 mW

Kompatibel:

FD 7 - ?---

Typen in Klammern sind ähnlich!

GT 322 B

4.00

2.96

2.40

1.78

GT 322 B 1

4.20

3.11

2.50

1.85

GT 322 B 2

3.50

2.59

2.10

1.56

GT 322 B 2 WEIßER PUNKT

3.10

2.30

1.85

1.37

GT 322 B 3

4.70

3.48

2.80

2.07

GT 322 B 4

5.00

3.71

3.00

2.22

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1973

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37