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Datenwartung

GT 322 B (ГT 322 Б)

HF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

5.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

80.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GT 322 B

4.00
2.96
2.40
1.78

GT 322 B 1

4.20
3.11
2.50
1.85

GT 322 B 2

3.50
2.59
2.10
1.56

GT 322 B 2 WEIßER PUNKT

3.10
2.30
1.85
1.37

GT 322 B 3

4.70
3.48
2.80
2.07

GT 322 B 4

5.00
3.71
3.00
2.22

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 08:30:38