GT 322 B (ГT 322 Б)

HF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

5.00 mA

Leistung (P_tot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

80.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

GT 322 B

4.00

2.96

2.40

1.78

GT 322 B 1

4.20

3.11

2.50

1.85

GT 322 B 2

3.50

2.59

2.10

1.56

GT 322 B 2 WEIßER PUNKT

3.10

2.30

1.85

1.37

GT 322 B 3

4.70

3.48

2.80

2.07

GT 322 B 4

5.00

3.71

3.00

2.22

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 08:30:38