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Datenwartung

GT 403 G (ГT 403 Г)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Strom (IC):

1.25 A

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

8.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.07.2024 / 09:12:37