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Datenwartung
GT 806 W (ГT 806 B) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 120.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 120.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 1.50 V |
Strom (IC): | 20.00 A |
Leistung (Ptot): | 30.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 10.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 12.07.2024 / 08:35:59 |
