KT 316 D (KT 316 Д)

Planar-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

10.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

4.00 V

Strom (I_C):

30.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

600.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

60 - 300

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.11.2024 / 09:48:46