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für DDR-Bauteile


Datenwartung

KT 326 B (KT 326 Б)

Planar-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 20.00 V

Strom (IC):

50.00 mA

Leistung (Ptot):

250.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

400.00 MHz

Kompatibel:

4027 - - Verschiedene Hersteller


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 326 B

2.30
1.70
1.40
1.04

KT 326 BM

1.30
0.96
0.78
0.58

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1973

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37