KT 602 A

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

100.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

120.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

75.00 mA

Leistung (P_tot):

850.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

150.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

20 - 80

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1983 ТРАНСИСТОРЫ Transistors Elorg

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 19.08.2025 / 08:09:29