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Datenwartung
KT 602 B (KT 602 Б) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | - 120.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 75.00 mA |
Leistung (Ptot): | 2.80 W |
Grenzfrequenz (fT): | 150.00 MHz |
Kompatibel: | 4027 - - Verschiedene HerstellerTypen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 602 B |
2.35 |
1.74 |
1.40 |
1.04 |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch |
Daten veröffentlicht: 1973 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37 |
