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Datenwartung

KT 605 B (KT 605 Б)

Planar-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

250.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

300.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

200.00 mA

Leistung (Ptot):

400.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

40.00 MHz

Verstärkung (h21e):

30 - 120

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 21:34:53