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Datenwartung
P 4 WE (П 4 BЗ) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | - 40.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | V |
Spannung (UEB) / (UGS): | V |
Strom (IC): | 5.00 A |
Leistung (Ptot): | 25.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 150.00 kHz |
Kompatibel: | SFH 609 - Siemens |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
P 4 WE |
7.00 |
5.19 |
4.20 |
3.11 |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37 |
