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Datenwartung

P 210 B (П 210 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

65.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

65.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

25.00 V

Strom (IC):

12.00 A

Leistung (Ptot):

45.00 W

Grenzfrequenz (fT):

100.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

P 210 B

12.50
9.26
7.50
5.56

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:25:03