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Datenwartung

P 215 (П 215)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

80.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

15.00 V

Strom (IC):

5.00 A

Leistung (Ptot):

10.00 W

Grenzfrequenz (fT):

150.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

P 215

13.60
10.08
8.20
6.08

SP 215

3.10
2.30
1.85
1.37

SP 215 E

3.50
2.59
2.10
1.56

SP 215 F

3.75
2.78
2.25
1.67

SP 215 G

3.75
2.78
2.25
1.67

SP 215 H

4.00
2.96
2.40
1.78

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:45:23