P 215 (П 215)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Strom (I_C):

5.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

150.00 kHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

P 215

13.60

10.08

8.20

6.08

SP 215

3.10

2.30

1.85

1.37

SP 215 E

3.50

2.59

2.10

1.56

SP 215 F

3.75

2.78

2.25

1.67

SP 215 G

3.75

2.78

2.25

1.67

SP 215 H

4.00

2.96

2.40

1.78

Datenblatt

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:45:23