P 303 (П 303)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 kHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

KP 303 A

4.00

2.96

2.40

1.78

KP 303 B

4.10

3.04

2.45

1.82

KP 303 D

3.85

2.85

2.30

1.70

KP 303 E

3.75

2.78

2.25

1.67

KP 303 W

4.25

3.15

2.55

1.89

P 303

1.50

1.11

0.90

0.67

Datenblatt

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:54:33