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Datenwartung

P 306 (П 306)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Strom (IC):

400.00 mA

Leistung (Ptot):

10.00 W

Grenzfrequenz (fT):

50.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KP 306 A

5.10
3.78
3.05
2.26

KP 306 B

4.85
3.59
2.90
2.15

KP 306 W

4.60
3.41
2.75
2.04

P 306

1.65
1.22
0.99
0.73

P 306 A

1.75
1.30
1.05
0.78

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:56:52