P 306 (П 306)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Strom (I_C):

400.00 mA

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

KP 306 A

5.10

3.78

3.05

2.26

KP 306 B

4.85

3.59

2.90

2.15

KP 306 W

4.60

3.41

2.75

2.04

P 306

1.65

1.22

0.99

0.73

P 306 A

1.75

1.30

1.05

0.78

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:56:52