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Datenwartung
P 307 B (П 307 Б) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 3.00 V |
Strom (IC): | 30.00 mA |
Leistung (Ptot): | 250.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 20.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KP 307 B |
4.35 |
3.22 |
2.60 |
1.93 |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 09:06:21 |
