P 416 (П 416)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

- 20.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

25.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

40.00 MHz

Kompatibel:

SFH 609 - Siemens
CNY 75 - Telefunken

Typen in Klammern sind ähnlich!

P 416

6.15

4.56

3.70

2.74

P 416 A

6.60

4.89

3.95

2.93

P 416 B

4.30

3.19

2.60

1.93

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1973

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36