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Datenwartung
GC 512 K |
Transistor für Komplementärendstufen |
Hersteller: | TESLA Roznov, CSSR, CSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 25.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 300.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 550.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | > 25 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 512 K |
3.60 |
2.67 |
2.15 |
1.59 |
Datenblatt: | 1974 - Elektronisches Jahrbuch | |
Daten-WEB: | www |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1974 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 02.07.2024 / 08:38:58 |
