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Datenwartung
KF 517 B |
Transistor für NF |
Hersteller: | TESLA Roznov, CSSR, CSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 40.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 600.00 mA |
Leistung (Ptot): | 800.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 30.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 90 - 300 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KF 517 B |
2.40 |
1.78 |
1.45 |
1.07 |
Datenblatt: | 1974 - Elektronisches Jahrbuch | |
Daten-WEB: | www |
Daten veröffentlicht: 1974 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:33 |
