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Datenwartung

KF 520

N-MOSFET

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

n-Kanal

Spannung (UCE) / (UDS):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

70.00 V

Strom (IC):

30.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

30.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KF 520

6.10
4.52
3.65
2.70

Datenblatt:

1974 - Elektronisches Jahrbuch


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Daten-WEB:

www


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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1974 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 19.07.2024 / 08:45:08