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Datenwartung

GT 305 W (ГT 305 B)

HF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

0.50 V

Strom (IC):

40.00 mA

Leistung (Ptot):

75.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

160.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1976 - Elektronisches Jahrbuch


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Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.07.2024 / 09:56:20