KT 332 A

Transistor für Hybridschaltungen

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

3.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

15.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

20 - 60

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1976 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 05.11.2024 / 08:56:23