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Datenwartung

KT 349 B (KT 349 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

20.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

4.00 V

Strom (IC):

40.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Verstärkung (h21e):

40 - 160

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 349 B METALL

2.35
1.74
1.40
1.04

KT 349 B PLAST

1.30
0.96
0.78
0.58

Datenblatt:

1976 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 20:50:25