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Datenwartung
KT 349 B (KT 349 Б) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 4.00 V |
Strom (IC): | 40.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 40 - 160 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 349 B METALL |
2.35 |
1.74 |
1.40 |
1.04 |
KT 349 B PLAST |
1.30 |
0.96 |
0.78 |
0.58 |
Datenblatt | 1976 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 20:50:25 |