KT 804 A

Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CB) / (U_GD):

100.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

10.00 A

Leistung (P_tot):

50.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.08.2024 / 10:02:18