TG 3 A

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

10.00 mA

Leistung (P_tot):

75.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

75 - 130

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 25.01.2025 / 17:44:19