BD 135

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CEO):

45.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

0.50 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 250

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BD 135

1.65

1.22

0.99

0.73

BD 135-10

1.75

1.30

1.05

0.78

BD 135-16

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 135 I

1.75

1.30

1.05

0.78

BD 135/BD136 I

4.00

2.96

2.40

1.78

BD 135/BD136 K

4.00

2.96

2.40

1.78

BD 135/BD136 L

4.25

3.15

2.55

1.89

BD 135/BD136

3.85

2.85

2.30

1.70

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

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Datenblatt:

Unitra

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Daten veröffentlicht: 1975

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38