BD 137

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CEO):

60.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

0.50 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 160

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BD 137

1.85

1.37

1.10

0.82

BD 137-10

2.00

1.48

1.20

0.89

BD 137-6

1.85

1.37

1.10

0.82

BD 137 G/138 G

4.35

3.22

2.60

1.93

BD 137 H/138 H

4.35

3.22

2.60

1.93

BD 137 I/138 I

4.60

3.41

2.75

2.04

BD 137 K/138 K

4.60

3.41

2.75

2.04

BD 137/138

4.35

3.22

2.60

1.93

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

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Datenblatt:

Unitra

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Daten veröffentlicht: 1975

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38