V 4012 D

2 NAND mit je 4 Eingängen

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt, DDR

Bauform:

Spannung 2 oder Spannung bis:

18.00 V

Leistung:

1.00 μW

Grenzfrequenz:

12.00 MHz

Zugriffszeit:

100.0 ns

Kompatibel:

CD 4012 B - RCA

K 561 ЛA 8 - UdSSR

TP 4012 A - Texas Instruments
CM 4012 AE - Solitron
MCY 64012 N - Polen - CEM
CD 4012 BE - Jugoslawien - El
MHF 4012 - CSSR - Tesla
MMC 4012 - Rumänien - ME
4012 BPC - Ungarn
MC 4012 BCP - Motorola
4012 BCP - Fairchild
HCF 4012 BE - SGS-Ates
TC 4012 BP - Toshiba
HEF 4012 BP - Valvo
SCL 4012 BE - Solid State Scientific
HD 14012 B - Hitachi
CD 4012 BCN - National Semiconductor
MN 4012 B - Panasonic
HEF 4012 BP - Signetics
CC 4012 EE - China

Typen in Klammern sind ähnlich!

V 4012 D

2.35

1.74

1.40

1.04

V 4012 DS 1

0.70

0.52

0.00

0.00

Datenblatt:

1990 - Mikroelektronik Gesamtübersicht

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 25.03.2024 / 08:54:15