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Datenwartung
KP 306 A (KП 306 A) |
Feldeffekt-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | n-Kan |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 20.00 V |
Strom (IC): | 20.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Verstärkung (h21e): | 5,6 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KP 306 A |
5.10 |
3.78 |
3.05 |
2.26 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage | |
Datenblatt: | 1987/1 - Datenblattsammlung |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 15.08.2024 / 08:33:56 |
