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Datenwartung
KT 829 B (KT 829 Б) |
Darlingtontransistor (komplementär KT 709 B) |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 80.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 8.00 A |
Leistung (Ptot): | 60.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 4.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 750 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1988/1 - Datenblattsammlung | |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 01.12.2024 / 09:56:10 |
