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Schön warm


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Datenwartung

KT 829 B (KT 829 Б)

Darlingtontransistor (komplementär KT 709 B)

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

80.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

8.00 A

Leistung (Ptot):

60.00 W

Grenzfrequenz (fT):

4.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 750

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1988/1 - Datenblattsammlung


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 01.12.2024 / 09:56:10