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Datenwartung

B 315 E

Transistorarray

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Betriebsspannung:

15.00 V

Stromaufnahme:

1.00 A

Leistung:

1.80 W

Grenzfrequenz:

60.00 MHz

Temperaturbereich:

-25 - 85 °C

Kompatibel:

Q 2 T 2222 - Texas Instruments

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Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

B 315 EDS 1

1.60

1.19

0.00

0.00

Datenblatt

RFT-mikroelektronik

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1988 - Aktive elektronische Bauelemente

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 09.07.2025 / 08:31:37