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Datenwartung
DL 010 D |
3 NAND mit je 3 Eingängen |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: |  |
Betriebsspannung: | 4.75 - 5.25 V |
Stromaufnahme: | 3.30 mA |
Leistung: | 2.00 mW |
Grenzfrequenz: | 50.00 MHz |
Zugriffszeit: | 15.0 ns |
Temperaturbereich: | 0 - 70 °C |
Kompatibel: | SN 74 LS 10 - Texas Instruments | Amazon | |
K 555 ЛА 4 - Mashpriboringtorg, UdSSR | Amazon | ||
MH 74 ALS 10 - Tesla, CSSR | Amazon | ||
74 LS 10 - Tungsram, VR Ungarn | Amazon | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
DL 010 D |
1.80 |
1.33 |
1.10 |
0.82 |
DL 010 DS 1 |
0.54 |
0.40 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | Datenblatt einzeln | |
Datenblatt: | 1990 - Mikroelektronik Gesamtübersicht |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 12.07.2025 / 09:00:19 |
