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Datenwartung

SU 193

Schalt-Transistor für Schaltnetzteile

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

300.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

15.00 A

Leistung (Ptot):

150.00 W

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

RFT-mikroelektronik

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Du musst 5 Guckies haben!

Datenblatt:

1989/1 - Datenblattsammlung

? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies!
Du musst 10 Guckies haben!

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1989 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2025 / 09:51:44