SME 996

MOS-HF-Transistor für UHF

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

n-Kanal

Spannung (U_CE) / (U_DS):

- 20.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

30.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Kompatibel:

-

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Funkamateur

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29