BSX 60

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

800.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 25

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Daten-WEB:

www

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38